Другие произведения в разделе:
Пользователь обязуется не воспроизводить, не дублировать, не копировать, не продавать, не осуществлять торговые операции и не перепродавать материалы ЭБ для каких-либо целей.
Пользователь обязуется не осуществлять (и не пытаться получить) доступ к каким-либо материалам ЭБ иным способом, кроме как через интерфейс Сайта.
Воспроизведение материалов из ЭБ в любой форме требует письменного разрешения РФФИ. Пользователи вправе в индивидуальном порядке использовать материалы, находящиеся на сайте РФФИ, для некоммерческого использования.
Использование материалов ЭБ РФФИ
Исследуется возникновение доменной структуры по механизму потери устойчивости исходной фазы в материале конечных размеров. Рассматривается строение доменных и межфазных в рамках континуального приближения. Приводятся результаты микроскопического описания структуры доменных границ в ряде сегнетоэлектриков. Рассматривается взаимодействие доменных границ с дефектами кристаллической решетки и их строение в реальных сегнетоупорядоченных материалах. Исследуется влияние решеточного потенциального рельефа на движение доменных границ. Рассматривается изгибная и трансляционная динамика доменных границ в сегнетоэлектрических кристаллах. Оценивается вклад доменных границ в диэлектрические свойства сегнетоэлектриков и упругие свойства сегнетоэластиков.
-гранта: 00-02-30015
Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах.
» » » Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах.
ВойтиЗакрыть (esc)
Имя пользователя:
Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. - Книги, изданные при поддержке РФФИ - Библиотека - Портал РФФИ
Комментариев нет:
Отправить комментарий